Samsung Electronics ha anunciado hoy que ha comenzado la producción en serie de sus nuevas memorias eMRAM utilizando un proceso de fabricación de 28 nanómetros (FD-SOI).
La memoria MRAM lleva desde hace muchos años en desarrollo y se trata de una RAM magnética no volátil, lo que quiere decir que no pierde los datos cuando deja de tener energía, como ocurre con una memoria RAM normal de hoy en día.
La solución eMRAM de Samsung basada en 28FDS ofrece ventajas de potencia y velocidad sin precedentes con un coste menor. Dado que eMRAM no requiere un ciclo de borrado antes de escribir datos, su velocidad de escritura es aproximadamente mil veces más rápida que eFlash. Además, eMRAM utiliza voltajes más bajos que las memorias Flash, y no consume energía eléctrica cuando está en modo de apagado, lo que da como resultado una gran eficiencia energética.
Las ventajas sobre las memorias que se utilizan hoy en día como las memorias RAM y Flash son revolucionarias, con latencias de 1ns, mayor velocidad y mayor resistencia. Las memorias eMRAM fueron concebidas para sustituir a las actuales memorias RAM y Flash NAND, aunque para eso tendremos que esperar un poco.
Se comenta que los primeros módulos creados por Samsung tendrán una capacidad muy limitada. La empresa coreana no ha querido dar demasiados detalles sobre los módulos que están fabricando, pero la intención es comenzar a testear un módulo de 1GB antes de que finalice el 2019. Más adelante, Samsung también planea hacer eMRAM utilizando su proceso 18FDS, así como nodos basados en FinFET más avanzados.
Este puede ser el nacimiento de una nueva era en lo que a almacenamiento informático se refiere. Estaremos siguiendo su evolución.
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