El gigante de la memoria SK Hynix ha anunciado el desarrollo de su memoria DRAM DDR4 de 8 Gb a 1Ynm, lo que significa que se puede fabricar usando litografía a 14 nm y a 16 nm. El nuevo chip ofrece una mejora del 20% en la productividad en comparación con su contraparte 1Xnm de la generación anterior y también una mejora de más del 15% en el consumo de energía.
La nueva DRAM DDR4 SK Hynix 8Gb 1Ynm admite una velocidad de transferencia de datos de hasta 3.200 Mbps, que según la compañía es la velocidad de procesamiento de datos más rápida en la interfaz DDR4. SK Hynix ha adoptado un esquema de ‘cronometraje en 4 fases’, que duplica la señal del reloj para aumentar la velocidad y la estabilidad de la transferencia de datos.
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SK Hynix también presentó su tecnología «Sense Amp Control» desarrollada internamente para reducir el consumo de energía y los errores de datos. Con esta tecnología, la compañía pudo mejorar el rendimiento del amplificador sensorial. SK Hynix mejoró la estructura del transistor para reducir la posibilidad de errores de datos, un desafío que acompaña a la reducción de la tecnología. La compañía también agregó una fuente de alimentación de baja potencia al circuito para evitar el consumo innecesario de energía.
[irp]Esta DRAM DDR4 de 1Gn y 8 Gb tiene un rendimiento y una densidad óptimos para los clientes de la compañía en palabras del Vicepresidente de SK Hynix, Sean Kim. SK Hynix planea comenzar a enviar a partir del primer trimestre del próximo año para responder activamente a la demanda del mercado. SK Hynix planea ofrecer su proceso de tecnología 1Ynm para servidores y PC, y luego a otras aplicaciones como dispositivos móviles.
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