SK Hynix ha lanzado hoy el primer flash 4D NAND de 96 capas de 512 Gb (Charge Trap Flash) del mundo. Este nuevo tipo de memoria flash todavía se basa en la tecnología 3D TLC, pero SK Hynix ha añadido una cuarta dimensión debido a su combinación de tecnología flash con trampa de carga en conjunción con ‘PUC’ (Peri. Under Cell technology).
SK Hynix dice que su enfoque es (obviamente) mejor que el enfoque de las puertas flotantes 3D que comúnmente se utiliza. El diseño del chip 4D NAND da como resultado una reducción de más del 30% en el tamaño del chip y aumenta la productividad de bits por oblea en un 49% en comparación con el 3D NAND de 72 capas de 512 Gb de la compañía. Además, el producto tiene un 30% más de velocidad de escritura y un 25% más de rendimiento en lectura de datos.
El ancho de banda de datos también se ha duplicado hasta convertirse en el líder del sector (en tamaño) de 64 KB. La velocidad de E/S de datos (entrada/salida) alcanza los 1.200 Mbps (megabits/seg) con un voltaje de 1,2 V.
El plan consiste en introducir unidades de consumo capacidades de hasta 1 TB junto con los controladores y el firmware de SK Hynix. La compañía tiene previsto utilizar chips de memoria de 96 capas de 1 Tb TLC y QLC en 2019.
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