Samsung ha mostrado su primer módulo de memoria de 256 GB para los próximos servidores. El nuevo módulo registrado como RDIMM se basa en los dispositivos de memoria DDR4 de 16 Gb de Samsung, presentados a principios de este año, y aprovecha el empaquetado 3DS (apilamiento tridimensional) de la compañía.
Nuevos módulos de memoria Samsung RDIMM de 256 GB
El nuevo módulo ofrecerá un mayor rendimiento y menor consumo de energía que los dos LRDIMM de 128 GB que se utilizan en la actualidad. El DIMM registrado de 256 GB DDR4 con ECC de Samsung lleva 36 paquetes de memoria con 8 GB (64 Gbit) de capacidad cada uno, junto con el chip de registro 4RCD0229K de IDT, para almacenar las señales de dirección y comando y aumentar el número de rangos admitidos por un canal de memoria. Los paquetes se basan en cuatro componentes de un solo troquel de 16 Gb, que se interconectan mediante vías de silicio (TSV). Arquitectónicamente, el módulo de 256 GB tiene una clasificación octal, ya que cuenta con dos rangos físicos y cuatro rangos lógicos.
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Es muy interesante señalar que estos nuevos módulos DIMM son módulos DIMM registrados (RDIMM) y no módulos DIMM de carga reducida (LRDIMMs). Normalmente, los LRDIMM se requieren para configuraciones de alta capacidad, con estos DIMM de estilo que dependen de un búfer adicional que perjudica el consumo de energía y la latencia en comparación con los RDIMM.
Los próximos procesadores Xeon Cascade Lake de Intel parecen admitir hasta 3.84 TB de memoria en las 12 ranuras DIMM, por lo que al instalar 12 RDIMM de 256 GB, un servidor de doble zócalo podría obtener 6 TB de memoria. Los procesadores EPYC existentes de AMD admiten oficialmente hasta 128 GB de módulos de memoria LRDIMM y hasta 2 TB de memoria en total, lo que es lógico ya que AMD aún no ha validado RDIMM de 256 GB. Si AMD considera que los RDIMM de 256 GB son viables para su plataforma, puede admitirlos ajustando el microcódigo de sus procesadores EPYC existentes, o simplemente validándolos con sus próximas CPU EPYC «Rome» de 7nm.
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