Toshiba Memory Corporation y Western Digital Corporation han celebrado la apertura de una nueva instalación de fabricación de semiconductores de última generación, la conocida como Fab 6, y el centro de I + D de memoria situados en Yokkaichi en la prefectura de Mie, Japón.
Toshiba Memory comenzó la construcción de su Fab 6 en febrero de 2017 para aumentar su volumen de producción de memoria flash 3D de 96 capas. Toshiba Memory y Western Digital han instalado equipos de fabricación de última generación para procesos clave de producción, incluidos la deposición y el grabado. La demanda de memoria flash 3D está creciendo para servidores empresariales, centros de datos y teléfonos inteligentes, y se espera que continúe expandiéndose en los próximos años.
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Por ello se realizarán más inversiones para expandir la producción de acuerdo con las tendencias del mercado. Toshiba Memory y Western Digital continuarán cultivando y extendiendo su liderazgo en el negocio de la memoria mediante el desarrollo activo de iniciativas destinadas a fortalecer la competitividad, avanzar en el desarrollo conjunto de la memoria flash 3D y realizar inversiones de capital de acuerdo con las tendencias del mercado.
Yasuo Naruke, presidente y CEO de Toshiba Memory, dijo que están entusiasmados con las oportunidades para expandir el mercado de su última generación de memorias flash 3D. Fab 6 les permite mantener su posición como un jugador líder en el mercado.
[irp]«Nos complace abrir Fab 6 y el Memory R & D Center con nuestro valioso socio Toshiba Memory. Durante casi dos décadas, la colaboración exitosa entre nuestras empresas ha fomentado el crecimiento y la innovación de la tecnología NAND flash. Estamos ampliando la producción de NAND 3D de 96 capas para abordar toda la gama de oportunidades del mercado final, desde aplicaciones de consumo y móviles hasta centros de datos en la nube. Fab 6 es una instalación de vanguardia que nos permitirá ampliar nuestra tecnología y liderazgo en costos en la industria.»
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