Toshiba anunció en el Flash Memory Summit que está desarrollando la tecnología 3D XL-Flash, con un enfoque hacia la creación de memorias 3D NAND de baja latencia que pueda competir con las emergentes tecnologías de memoria Optane y 3D XPoint. Toshiba dice que el nuevo enfoque de la memoria NAND de baja latencia podría reducir los valores de latencia a sólo 1/10 del precio actual del NAND TLC para el consumidor.
La tecnología XL-Flash promete mejorar la latencia de las memorias 3D-NAND
Una arquitectura NAND actualizada con XL-Flash podría ser un equivalente a lo que está haciendo Samsung con su tecnología Z-NAND, que podrían hacer abaratar los costes de producción con respecto a Optane. Toshiba utilizará su tecnología flash BiCS, pero XL-Flash se desplegará, al menos al principio, en implementaciones SLC, con el fin de mejorar el rendimiento (7 microsegundos de tiempo de respuesta frente a los 30 microsegundos de QLC). Por supuesto, esto reducirá la densidad de almacenamiento, pero recordemos que el objetivo es ofrecer un rendimiento similar al de Optane y una densidad igual o mejor a un precio más bajo.
Los pasos que Toshiba ha tomado para aumentar el rendimiento incluyen el acortamiento de líneas de bits y líneas de palabras, conexiones internas entre celdas, unas rutas entre celdas más cortas significan menor latencia y mejor rendimiento. Además, el paralelismo y el rendimiento se han incrementado mediante la adición de más planos flash, regiones independientes que pueden responder a las solicitudes de datos de forma simultánea.
Se espera que el XL-Flash se utilice como memoria caché en unidades QLC de alta densidad, así como productos independientes que buscan destronar lo ofrecido por las memorias Optane de Intel.
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