Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria de alto rendimiento para todo tipo de dispositivos electrónicos, ha anunciado hoy que ha empezado a fabricar en masa la segunda generación de memoria LPDDR4X a 10 nanómetros.
Samsung ofrece detalles de sus memorias LPDDR4X a 10 nanómetros de segunda generación
Estos nuevos chips de memoria LPDDR4X a 10 nanómetros de Samsung permitirán mejorar la eficiencia energética y reducir el consumo de batería de los smartphones premium y otras aplicaciones móviles actuales. Samsung afirma que los nuevos chips ofrecen hasta un 10% de reducción de energía y mantienen la misma velocidad de datos de 4,266 Mb/s que los chips de primera generación a 10 nm. Todo ello permitirá soluciones significativamente mejoradas para los dispositivos móviles insignia de próxima generación que deberían llegar al mercado a fines de este año o en la primera parte de 2019.
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Samsung ampliará su línea de producción de memoria DRAM premium en más del 70 por ciento para cubrir la gran demanda que existe en la actualidad, y que se espera que vaya en aumento. Esta iniciativa comenzó con la producción masiva del primer servidor DRM DDR4 de 8GB y 10nm en noviembre pasado y continúa con este chip de memoria móvil LPDDR4X de 16Gb tan solo ocho meses después.
Samsung ha creado un paquete DRAM LPDDR4X de 8GB al combinar cuatro de los chips DRAM LPDDR4X 16Gb de 10nm. Este paquete de cuatro canales puede realizar una velocidad de datos de 34.1 GB por segundo y su grosor se ha reducido en más del 20 % desde el paquete de primera generación, permitiendo a los OEM diseñar dispositivos móviles más delgados y más efectivos.
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