Recientemente se ha celebrado el evento Samsung SSD Forum en Japón, en el cual la empresa surcoreana reveló los primeros detalles sobre sus próximas unidades de memoria V-NAND de 96 capas basada en la tecnología QLC.
Samsung da los primeros detalles de su memoria V-NAND QLC de 96 capas
El uso de memoria V-NAND QLC sobre la V-NAND TLC ofrece una densidad de almacenamiento 33% mayor y, por lo tanto, un menor coste de almacenamiento por GB, algo muy importante si se quiere que los SSD sustituyan por completo a los discos duros mecánicos algún día. Las primeras unidades SSD de Samsung que adoptarán su memoria V-NAND QLC serán modelos de alta capacidad para aquellos clientes que necesitan almacenar una gran cantidad de datos, y que pueden no estar interesados en el máximo rendimiento, ya que los primeros chips de este tipo estarán por detrás de los basados en TLC en prestaciones.
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Samsung ha estado trabajando abiertamente en unidades SSD U.2 de ultra alta capacidad basadas en la memoria V-NAND QLC durante más de un año. Estas unidades se utilizarán para aplicaciones WORM (escribir una vez, leer muchas) que no están optimizadas para escrituras rápidas, pero claramente superan las matrices basadas en HDD. Samsung espera que sus primeras unidades NVMe con QLC ofrezcan una velocidad de lectura secuencial de hasta 2500 MB/s, así como hasta 160K de IOPS de lectura aleatoria.
[irp]Otra línea de productos de Samsung basados en la tecnología V-NAND QLC serán los SSD para consumo con capacidades superiores a 1 TB. Estas unidades utilizarán una interfaz SATA y ofrecerán un rendimiento de lectura y escritura secuencial de alrededor de 520 MB/s. Samsung no espera que QLC V-NAND reemplace TLC V-NAND como el tipo principal de memoria flash en el corto plazo. La NAND QLC requiere controladoras más caras, con capacidades de procesamiento considerablemente más altas, para garantizar una resistencia adecuada.
