Samsung ha anunciado hoy que ha desarrollado con éxito la primera memoria DRAM LPDDR5 de 10 nanómetros de la industria con una capacidad de 8 gigabit. Se trata de un logro que ha sido posible gracias a cuatro años de trabajo desde la introducción del primer chip LPDDR4 de 8Gb en 2014.
Samsung ya tiene una memoria LPDDR5 de 8 Gb fabricada a 10 nm
Samsung ya está trabajando a toda máquina, para poner en marcha cuanto antes la producción en masa de su tecnología de memoria LPDDR5, para su uso en las próximas aplicaciones móviles con 5G e Inteligencia Artificial. Este chip LPDDR5 de 8Gb cuenta con una velocidad de transferencia de datos de hasta 6.400 MB/s, lo que lo hace 1.5 veces más rápido que los chips LPDDR4X a 4266 Mb/s actuales. Esta gran velocidad permitirá enviar 51.2 GB de datos o 14 archivos de video full-HD de 3.7 GB cada uno en tan solo un segundo.
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La DRAM LPDDR5 de 10nm estará disponible en dos anchos de banda: 6.400 Mb/s con un voltaje operativo 1.1v y 5.500 Mb/s a 1.05 V, lo que la convierte en la solución de memoria móvil más versátil para smartphones y sistemas automotrices de próxima generación. Este avance en el rendimiento ha sido posible a través de varias mejoras arquitectónicas, como duplicar el número de bancos de memoria de ocho a 16, para alcanzar una velocidad mucho mayor a la vez que reduce el consumo de energía. El nuevo chip LPDDR5 también hace uso de una arquitectura de circuito altamente avanzada y optimizada en velocidad que verifica y garantiza el rendimiento.
Gracias a sus características de bajo consumo, la memoria DRAM LPDDR5 ofrecerá reducciones de consumo de energía de hasta un 30%, maximizando el rendimiento de los dispositivos móviles y extendiendo la vida de la batería de los dispositivos.
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