Micron e Intel han anunciado una actualización sobre su asociación para el desarrollo conjunto de la tecnología de memoria 3D XPoint, una memoria no volátil con una latencia menor y una resistencia mucho mayor que la memoria NAND que se usa en los SSD actuales.
Micron e Intel separarán sus caminos respecto a la memoria 3D Xpoint
Micron e Intel acordaron completar el desarrollo conjunto para la segunda generación de tecnología 3D XPoint, algo que se espera que ocurra en el primer semestre de 2019. Más allá de la segunda generación, el desarrollo de la tecnología 3D XPoint será perseguido independientemente por las dos compañías, algo que permitirá optimizarla de una mejor forma para sus respectivos productos y necesidades comerciales. Ambas compañías continuarán fabricando memoria basada en 3D XPoint en las instalaciones de Intel-Micron Flash Technologies en Lehi, Utah.
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Micron tiene una sólida trayectoria de innovación con 40 años de experiencia líder en el mundo en desarrollo de tecnología de memoria, y continuará impulsando las próximas generaciones de tecnología 3D XPoint. El nuevo avance de esta tecnología permitirá a sus clientes aprovechar la memoria única y las capacidades de almacenamiento. Por su parte, Intel ha desarrollado una posición de liderazgo entregando una amplia cartera de productos Optane en los mercados de clientes y centros de datos. La conexión directa de Intel Optane con las plataformas informáticas más avanzadas del mundo está logrando resultados innovadores en TI y aplicaciones de consumo.
[irp]El objetivo a largo plazo de 3D Xpoint es unificar tanto la memoria RAM como el almacenamiento en un único pool, el cual proporcionaría una gran velocidad con la persistencia de todos los datos al cortar la energía, algo que evitaría tener que cargar las aplicaciones cada vez.
