Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy el inicio de la producción en masa de sus nuevos chips de memoria VNAND de quinta generación, los cuales ofrecerán las tasas de transferencia de datos más rápidas disponibles en la actualidad.
Estos nuevos chips de memoria VNAND de quinta generación de Samsung se basan en la tecnología de interfaz DDR 4.0, la cual permite que la velocidad para transmitir datos haya alcanzado los 1.4 gigabits por segundo, un aumento de un 40 por ciento respecto a su tecnología de cuarta generación de 64 capas. Esta VNAND de quinta generación de Samsung apila nada menos que 90 capas de memoria, en una estructura piramidal con orificios de canal microscópicos perforados verticalmente. Estos diminutos agujeros de canal, que tienen solo unos pocos cientos de nanómetros (nm) de ancho, contienen más de 85 mil millones de celdas de CTF que pueden almacenar tres bits de datos cada uno.
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La eficiencia energética de la nueva VNAND de quinta generación de Samsung sigue siendo comparable a la del chip de 64 capas, gracias a una reducción de la tensión de funcionamiento de 1,8 voltios a 1,2 voltios. Esta nueva tecnología de memoria también ofrece la velocidad de escritura de datos más rápida hasta la fecha, 500 microsegundos, una mejora del 30 por ciento sobre la velocidad de escritura de la generación anterior. A su vez, el tiempo de respuesta a las señales de lectura ha sido significativamente reducido hasta 50 microsegundos.
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