El nuevo proceso de fabricación a 10 nm Tri-Gate de Intel se está resistiendo más de lo esperado, pues ya acumula más de dos años de retraso respecto a su lanzamiento previsto inicialmente. Los investigadores han destripado un Core i3-8121U fabricado con este proceso, para intentar esclarecer algunas de sus claves.
El análisis bajo el microscopio del procesador Core i3-8121U ha permitido ver que el proceso de fabricación a 10 nm Tri-Gate de Intel ofrece un aumento en la densidad de los transistores de hasta 2,7 veces en comparación con el actual proceso a 14 nm Tri-Gate. Este gran avance ha permitido integrar nada menos que 100,8 millones de transistores por milímetro cuadrado, lo que se traduce en una cantidad de 12.8 mil millones de transistores en un tamaño de matriz de tan solo 127 mm².
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Este nodo a 10 nm utiliza la tecnología FinFET de tercera generación, la cual se caracteriza por una reducción en el paso mínimo de puerta de 70 nm a 54 nm y un paso de metal mínimo de 52 nm a 36 nm. Con estos 10 nm Intel va a introducir la metalización del cobalto en las capas de granel y de anclaje del sustrato de silicio. El cobalto es una buena alternativa al tungsteno y al cobre como material de contacto entre capas, debido a su menor resistencia en tamaños más pequeños.
Se trata del proceso de fabricación más ambicioso de Intel y esta seria la principal causa de todos los problemas que esta causando a la compañía, aunque de poco servirá tanta ambición si no consiguen alcanzar un grado de madurez suficiente. Esperemos que Intel logre ponerlo a punto para poder ofrecernos sus mejores procesadores.
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