Samsung y SK Hynix tienen problemas con las memorias DRAM a 18 nm para servidores

Los fabricantes de chips de memoria Samsung Electronics y SK Hynix se han visto afectados por varios problemas en sus tecnologías basadas en el proceso de fabricación a 18nm para la producción de DRAM de servidor de alta gama.

Samsung Electronics y SK Hynix tienen problemas para fabricar DRAM para servidores a 18 nm

La disponibilidad actual de memoria DRAM de alta gama para servidores es muy baja, y lo será más aún con motivo de los problemas que están teniendo Samsung Electronics y SK Hynix, con su proceso de fabricación a 18 nm. Estos problemas harán que el suministro sea más bajo de lo que debería ser, por lo que la disponibilidad en el mercado de este tipo de memoria será muy baja, y los precios muy elevados.

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Los proveedores estadounidenses y chinos ya solicitaron a sus proveedores de memorias que suspendan los envíos hasta que mejoren sus tasas de rendimiento del proceso de 18nm, algo que puede suponer de 1 a 2 meses o incluso más tiempo para que los dos fabricantes mejoren sus tasas de rendimiento.

Algunos observadores de la industria sugieren que los rendimientos de producción del proceso de 18nm de Samsung y SK Hynix podrían ser bajos e inestables para la producción de DRAM del servidor, pero suficientes para la fabricación de chips destinados a PCs. Algunos observadores creen que el problema no debería tener un impacto material en el suministro general de DRAM.

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Varias empresas chinas, incluidas Alibaba, Huawei, Lenovo y Tencent, se han movido recientemente para competir por los suministros DRAM de servidor de 20nm, debido a las tasas de producción inestables de DRAM de 18nm. Habrá que ver como evoluciona este tema a lo largo de las próximas semanas, esperemos que no haga subir más aún los precios de la RAM en PC.