Samsung anuncia memorias DDR4 SO-DIMM a 10 nm para portátiles gaming

Samsung ha anunciado la producción en masa de la primera memoria DDR4 SO-DIMM de 32 gigabytes y fabricada a 10 nm para portátiles gaming, lo que permitirá alcanzar grandes capacidades y grandes prestaciones en un formato muy compacto.

Samsung quiere revolucionar los portátiles con sus memorias RAM DDR4 SO-DIMM de 32 GB a 10 nm

Estas nuevas memorias Samsung DDR4 SO-DIMM se basan en tecnología de 10 nm, para permitir a los usuarios disfrutar de juegos de alta calidad en PCs portátiles mientras viajan, con una capacidad significativamente mayor, mayores velocidades y menor consumo de energía. Utilizando esta nueva solución de memoria, los fabricantes de PC pueden construir ordenadores portátiles más rápidos y de mayor duración de la batería, con capacidades de memoria superiores a las estaciones de trabajo móviles convencionales.

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Comparado con las memorias DDR4 SO-DIMM de 16GB de Samsung fabricadas a 20nm, que se introdujeron en 2014, el nuevo módulo de 32GB duplica la capacidad, mientras que es un 11 por ciento más rápido y aproximadamente un 39 por ciento más eficiente con el uso de la energía. Un portátil de 64 GB configurado con dos módulos DDR4 de 32 GB consume menos de 4,6 vatios en modo activo, y menos de 1,4 vatios cuando está inactivo.

Samsung ha comenzado a expandir agresivamente su oferta de memoria DRAM fabricada a 10nm más grande de la industria, lo que marcará el comienzo de una nueva era en los segmentos de dispositivos móviles, gráficos, PC y servidores, y posteriormente en otros mercados como los supercomputadoras y los sistemas automotrices.

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Samsung sigue demostrando que es el líder mundial indiscutible en tecnología de fabricación de memoria DRAM, uno de los mayores negocios de la compañía.