Micron ha hablado de la razón que hay detrás de la ruptura con Intel respecto a la colaboración en el desarrollo de la memoria NAND. El pasado mes de enero, Intel y Micron anunciaron que su unión en el desarrollo de la memoria NAND llegaba a su fin, y ambas compañías planean seguir evolucionando de forma independiente su tecnología NAND.
La razón detrás de esta ruptura era desconocida hasta ahora, aunque todo apuntaba a que Intel y Micron querían llevar su tecnología NAND en direcciones separadas. Micron e Intel utilizan la tecnología NAND de Floating Gate, una técnica de producción que promocionan como superior al modelo Charge-Trap, usado por casi todos los demás fabricantes como Samsung, SK Hynix, Western Digital y Toshiba. De cara a la cuarta generación, Micron planea cambiar a Charge-Trap, dejando a Intel como el único partidario de la tecnología Floating Gate.
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Hasta ahora Micron era escéptico con respecto a la longevidad de la memoria NAND 3D Charg-Trap, especulando con que los datos se pueden perder tras seis meses sin recibir corriente. Por eso Micron no creía que la NAND desarrollada con Charge-Trap, fuera utilizable como un medio de almacenamiento no volátil a largo plazo. Actualmente la mayoría de los fabricantes usan Charge-Trap sin muestras de problemas de pérdida de datos, por lo que Micron ha decidido abrazar esta tecnología que hasta ahora había rechazado.
[irp]Pese a esta ruptura, ambas compañías continúan trabajando juntas en el desarrollo de la memoria XPoint, con planes para continuar desarrollando la tecnología como un medio de almacenamiento no volátil, y como una alternativa a DRAM en aplicaciones seleccionadas.
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