Durante el evento Samsung Foundry Forum 2018, el gigante surcoreano ha revelado una serie de nuevas mejoras en sus tecnología de procesos dirigidas a la informática de alto rendimiento y los dispositivos conectados. La compañía abandonará la tecnología FinFET con los 3 nm.
Samsung sustituirá el FinFET por un nuevo transistor con los 3 nm, todos los detalles
La nueva hoja de ruta de Samsung, se centra en proporcionar a sus clientes sistemas más eficientes desde el punto de vista energético para dispositivos destinados a una amplia variedad de industrias. Charlie Bae, vicepresidente ejecutivo y director de ventas y marketing de fundición, afirma que «La tendencia hacia un mundo más inteligente y conectado hace que la industria exija más de los proveedores de silicio”.
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La próxima tecnología de proceso de Samsung es Low Power Plus 7nm basada en litografía EUV, la cual entrará en la fase de producción masiva durante la segunda mitad de este año y se ampliará durante la primera mitad de 2019. El siguiente paso será el proceso Low Power Early 5nm que mejorará la eficiencia energética de los 7 nm hasta un nuevo nivel. Estos procesos aún se basarán en tecnología FinFET, al igual que el siguiente a 4 nm.
La tecnología FinFET se abandonará con el paso al proceso 3nm Gate-All-Around Early / Plus, el cual se basará en un tipo de transistor más nuevo que permite resolver los problemas de escalado físico presentes con FinFET. Aún faltan bastantes años para la llegada de este proceso de fabricación a 7 nm, las primeras estimaciones apuntan al año 2022, aunque lo más normal es que haya algunos retrasos de por medio.
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