TSMC quiere seguir liderando la industria de la fabricación de chips de silicio por lo que su inversión es enorme, la fundición ya ha empezado a fabricar en masa los primeros chips con su avanzado proceso a 7 nm CLN7FF, el cual permitirá alcanzar nuevos niveles de eficiencia y prestaciones.
TSMC inicia la fabricación en masa de chips a 7 nm CLN7FF con tecnología DUV
Este año 2018 será el de la llegada de los primeros silicios fabricados a 7 nm, aunque no esperes GPUs ni CPUs de altas prestaciones, pues primero hay que hacer madurar el proceso, y nada mejor para ello que fabricar procesadores para dispositivos móviles y chips de memoria, los cuales son mucho más pequeños y sencillos de fabricar.
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TSMC compara su nuevo proceso a 7 nm con el actual a 16 nm, la fundición segura que los nuevos chips serán un 70% más pequeños con el mismo número de transistores, además de consumir un 60% menos de energía, y permitir unas frecuencias de funcionamiento un 30% más elevadas. Grandes mejoras que harán posible nuevos dispositivos con mayor capacidad de procesamiento, y con un consumo de energía igual al de los actuales o inferior.
La tecnología de proceso a 7 nm CLN7FF de TSMC se basa en la litografía ultravioleta profunda (DUV) con láser excímeros de argón fluoruro (ArF), que operan en una longitud de onda de 193 nm. Como resultado, la compañía podrá utilizar las herramientas de fabricación existentes para fabricar chips a 7 nm. Mientras tanto, para continuar utilizando la litografía DUV, la empresa y sus clientes deben utilizar multipastterning (patrones triples y cuádruples), lo que aumenta los costos de diseño y producción, así como los ciclos de los productos.
[irp]El año que viene, TSMC tiene la intención de presentar su primera tecnología de fabricación basada en litografía ultravioleta extrema (EUVL) para capas seleccionadas. El CLN7FF + será el proceso de fabricación de segunda generación de 7 nm de la compañía, debido a la compatibilidad de las reglas de diseño y porque seguirá utilizando las herramientas DUV. TSMC espera que su CLN7FF + ofrezca una densidad de transistor 20% más alta y un consumo de energía un 10% menor con la misma complejidad y frecuencia que el CLN7FF. Además, la tecnología de 7 nm basada en EUV de TSMC también podría ofrecer un mayor rendimiento y una distribución más ajustada de las corrientes.
