Más problemas relacionados con la escasez de chips de memoria NAND, un reporte de Taiwán y Corea de Sur, asegura que la fábrica de Samsung en Pyeongtaek, ha sufrido un corte de electricidad durante 30 minutos, que ha arruinado nada menos que 60.000 obleas de silicio, que iban a dar lugar a chips de memoria NAND.
Los circuitos integrados en las obleas de silicio son increíblemente pequeños, lo que hace que cualquier corte en la electricidad durante su fabricación tenga consecuencias catastróficas. El corte sufrido por la fábrica de Samsung ha tenido una duración de unos 30 minutos, lo suficiente para arruinar un total de 60.000 obleas de silicio. Esta cifra supone el 11% de la producción mensual de NAND de Samsung y el 3,5% de la producción a nivel global, con ello nos podemos hacer una idea de la magnitud del suceso.
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Samsung está trabajando en expandir agresivamente su producción de memoria NAND, lo que significa que este déficit de suministro se abordará en los próximos meses, a medida que las nuevas instalaciones de la compañía entren en línea, aunque a corto plazo esto incluso podría aumentar el precio de la NAND, al reducirse la disponibilidad a nivel global.
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