Los científicos de la École Polytechnique Fédérale de Lausanne están entusiasmados con las propiedades y posibilidades que ven en el dióxido de vanadio (VO2), el cual podría superar al silicio y dar lugar a una nueva generación de productos electrónicos.
Los científicos de la École Polytechnique Fédérale de Lausanne ven grandes oportunidades para el dióxido de vanadio, especialmente en los campos de sistemas de comunicación espacial, computación neuromórfica y radares de alta frecuencia. Este elemento se comporta como un aislante a temperatura ambiente pero como un conductor a temperaturas superiores a 68 °C.
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Este cambio ocurre porque a esa temperatura el material cambia de una estructura atómica cristalina a una metálica, lo que se conoce como una «transición metal-aislante», o MIT para abreviar. Este cambio lleva menos de un nanosegundo por lo que es una propiedad atractiva para la electrónica.
Este cambio ocurre a una temperatura demasiado baja para ser útil en electrónica, sin embargo, los investigadores de EPFL han logrado que se produzca a temperaturas superiores a 100 ° C al agregar germanio al VO2.
[irp]Además el VO2 también es sensible a otros factores que podrían inducir su cambio de fase, un ejemplo de ello es la inyección de energía eléctrica o aplicar un pulso de radiación THz. El proyecto de investigación continuará al menos hasta 2020 y se le han otorgado € 3,9 millones de financiación de la UE.
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