JEDEC ha anunciado el nuevo estándar UFS 3.0 que permitirá crear un medio de almacenamiento de alta velocidad para las nuevas generaciones de dispositivos móviles, especialmente smarpthones.
UFS 3.0 doblará el ancho de banda ofrecido por la actual memoria UFS 2.1, por lo que tendremos una nueva generación de dispositivos capaces de acceder a los datos almacenados de una forma mucho más rápida, algo importante puesto que cada vez los archivos que guardamos son más pesados. Esta memoria utilizará un voltaje de 2,5V, inferior a los 2,7-3,6V de la UFS 2.1 por lo que la eficiencia energética también será superior.
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La memoria UFS 3.0 ofrecerá un ancho de banda de 23.2 Gbps gracias al uso de dos canales, un salto muy considerable frente a UFS 2.1 que al usar solo un canal se conforma con una velocidad de 11.6 Gbps. No solo se mejora la velocidad, la nueva memoria será capaz de soportar temperaturas de hasta 105ºC por lo que puede ser usada en dispositivos que generen mucho calor. Por último, se añade un registro de errores para mejorar su fiabilidad.
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