Samsung ha dado un nuevo e importante paso adelante en la tecnología de memoria apilada de alto ancho de banda, más conocida como HBM por sus siglas en inglés. La firma coreana ya ha iniciado la producción en masa de stacks de memoria HBM2 de segunda generación con una capacidad de 8 GB a una velocidad de 2,4 Gbps.
Samsung inicia la producción de HBM2 de segunda generación
Samsung ha comunicado que ya ha iniciado la fabricación en masa de sus chips de memoria HBM2 de segunda generación, estos vienen con una capacidad de 8 GB por stack, y con una frecuencia de funcionamiento efectiva de 2,4 Gbps para acelerar las capacidades de la supercomputación basada en GPU de nueva generación.
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Esta nueva memoria HBM2 de segunda generación funciona con un voltaje de 1,2V, lo que permite una mayor eficiencia energética frente a la HBM2 de primera generación que usaba el mismo voltaje, pero solo alcanzaba una frecuencia de 1,6 Gbps. Gracias a ello un solo stack de esta nueva memoria obtiene un ancho de banda de 307 GB/s, lo que es casi diez veces más que la memoria GDDR5 que se ha estado usando los últimos años en casi todas las tarjetas gráficas del mercado.
Para hacer esto posible se ha usado la tecnología TSV (Through Silicon Via) para hacer más de 5000 conexiones por die, algo que no ha sido nada fácil de conseguir de forma exitosa en un empaquetado tan pequeño y que demuestra el liderazgo de Samsung.
[irp]De esta forma Samsung hace posible una nueva generación de tarjetas gráficas con un ancho de banda de memoria de hasta 1,2 TB/s, lo que permitirá aumentar sus capacidades en gran medida. Por ahora no se espera que las tarjetas destinadas al gaming hagan uso de esta nueva tecnología, para ellas está esperando la GDDR6.
