Samsung ha confirmado el inicio de la producción en masa de memoria DDR4 DRAM con una densidad de 8 Gibagit y con su avanzado proceso a 10 nm FinFET de segunda generación, lo que permitirá ofrecer unos nuevos niveles de eficiencia energética y rendimiento.
Samsung habla de su segunda generación de memoria DDR4 a 10 nm
La nueva memoria DDR4 de 10nm y 8 Gb de Samsung es ofrece un 30 por ciento más de productividad que la anterior generación a 10n, además cuenta con un 10 por ciento más de rendimiento y un 15 por ciento más de eficiencia energética, todo ello gracias al uso de una avanzada tecnología de diseño de circuitos patentada.
El nuevo sistema de detección de datos permite una determinación más precisa de los datos almacenados en cada celda, lo que aparentemente conduce a un aumento considerable en el nivel de integración del circuito y productividad de fabricación. Esta segunda generación de memoria a 10nm usa un espaciador de aire alrededor de sus líneas de bits para disminuir la capacitancia parásita, esto facilita no solo un mayor nivel de escalamiento, sino también una operación rápida de la celda.
«Al desarrollar tecnologías innovadoras en el diseño y proceso de circuitos DRAM, hemos superado lo que ha sido una gran barrera para la escalabilidad de DRAM. DRAM de segunda generación de clase 10nm, ampliaremos nuestra producción general de DRAM de 10nm de manera más agresiva, para acomodar la fuerte demanda del mercado y continuar fortaleciendo nuestra competitividad comercial «
«Para permitir estos logros hemos aplicado nuevas tecnologías, sin el uso de un proceso EUV. La innovación aquí incluye el uso de un sistema de detección de datos de células de alta sensibilidad y un esquema progresivo de ‘espaciadores de aire'».
