RAMBUS habla de las características de la memoria DDR5

Hace pocos días nos llegaban los primeros detalles de la nueva tecnología de memoria apilada de alto rendimiento HBM3, ahora os traemos los detalles de la nueva DDR5 que llegará a lo largo de los próximos años para las nuevas generaciones de procesadores.

DDR5 alcanzará los 4800 MHz a 1,2V

RAMBUS ha dado a conocer las primeras características de la futura memoria DDR5 que ya está en una etapa bastante avanzada de su desarrollo, estas nuevas memorias llegarán con una frecuencia base de unos 4800 MHz por lo que supondrán un buen impulso frente a las actuales DDR4, podemos decir que las DDR5 más lentas serán tan rápidas como las más veloces de las DDR4 de forma aproximada.

A medida que pasen los años estas nuevas DDR5 irán ganando en prestaciones tal y como sucede con todas las generaciones, su techo podría estar cerca de los 6400 MHz, lo que se traduce en un ancho de banda máximo de 51,2 GB/s, el doble de los 25,6 GB/s que se alcanzan con la actual tecnología DDR4.

Para hacer todo esto posible se ha apostado muy fuerte por mejorar la eficiencia energética, DDR5 será capaz de alcanzar los 4800 MHz con un voltaje de tan solo 1,2V, una importante mejora frente a los 1,5V que necesita la actual DDR4 para alcanzar los 4600 MHz. Por último destacamos que la capacidad máxima de cada módulo se elevará hasta los 128 GB por lo que podremos ver configuraciones de 512 GB usando solo cuatro módulos.

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Las primeras memorias DDR5 llegarán a lo largo del año 2019 con un proceso de fabricación a 10 nm, para luego migrar a los más eficientes 7 nm.