Samsung inicia la producción en masa de su segunda generación 10 nm FinFET 10LPP

Samsung ha anunciado en el día de hoy el inicio de la producción en masa de chips basados en su proceso de fabricación a 10 nm FinFET 10LPP de segunda generación, con ello se logrará un nuevo nivel de rendimiento y eficiencia energética.

Samsung ya tiene listos los 10 nm FinFET 10LPP

Este nuevo proceso de fabricación se ha bautizado como 10 nm FinFET 10LPP (Low Power Plus) y se caracteriza por ofrecer una reducción en el consumo de energía de un 15% en comparación con su primara versión de los 10 nm FinFET, a la vez se mejora el rendimiento en un 10% por lo que tenemos una mejora bastante importante. Esto se traducirá en nuevos dispositivos móviles con mejor autonomía y más potentes para todo tipo de tareas.

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Los primeros SoCs fabricados con este proceso a 10 nm FinFET 10LPP llegarán a principios de año 2018 aunque su disponibilidad será bastante limitada al principio, tal y como suele pasar en todas las generaciones.

«Podremos servir mejor a nuestros clientes a través de la migración de 10LPE a 10LPP con un mejor rendimiento y un mayor rendimiento inicial», dijo Ryan Lee, vicepresidente de Foundry Marketing de Samsung Electronics. «Samsung con su larga experiencia en la estrategia de procesos de 10nm continuará trabajando en la evolución de la tecnología de 10nm hasta 8LPP para ofrecer a los clientes ventajas competitivas distintas para una amplia gama de aplicaciones».

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Samsung también ha anunciado que su nueva línea de producción S3 en Corea está lista para empezar a producir chips a 10 nm y futuras litografías como los 7nm FinFET con tecnología EUV que se producirán en masa en esta última fábrica.