- 8LPP (8nm Low Power Plus): proporciona la escalada más competitiva antes de la transición a la litografía basada en EUV (Extreme Ultra Violet). Combina la innovación de todas las claves de la tecnología a 10 nm del gigante surcoreano. Ofrecerá un nuevo salto en términos de eficiencia energética y densidad de transistores en comparación con los 10 nm.
- 7LPP (7nm Low Power Plus): Será el primer proceso en usar la tecnología EUV con un máximo de potencia de 250W, lo que supone el mayor logro para la inserción de la tecnología EUV en la producción en masa. Ha sido desarrollada en colaboración con ASML. Romperá las barreras de la ley de Moore para una nueva generación de semiconductores.
- 6LPP (6nm Low Power Plus): Adoptará la nueva solución Smart Scaling de Samsung que se incorporará en el top del proceso 7LPP para permitir una mayor escalada de área y un ultra-bajo consumo.
- 5LPP (5nm Low Power Plus): Extenderá el escalado físico de los límites de la estructura FinFET con la implementación de tecnologías del siguiente proceso de fabricación 4LPP, el resultado será un mejor escalado y una reducción de consumo de energía.
- 4LPP (4nm Low Power Plus): Será la primera implementación de la estructura MBCFET(Multi Bridge Channel FET) y la tecnología exclusiva GAAFET (Gate All Around FET) que se basa en una tecnología de nano-hoja para superar los límites y el rendimiento de la arquitectura FinFET.
- FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator): Samsung expandirá su tecnología 28FDS en una plataforma más amplia para ofrecer la incorporación de opciones de RF (Radio Frecuencia) y eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory). 18FDS es el siguiente nodo FD-SOI de Samsung que mejora la relación energía/rendimiento/área.
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Fuente: news samsung
