PNY sigue anunciando nuevos dispositivos de almacenamiento para la gama de entrada. Concretamente ha lanzado la serie PNY CS1311B con capacidad de 128 y 256 GB respectivamente.
En principio, vendrá en dos modelos, uno de 120 y otro de 240 GB aunque no lo han confirmado, sospechamos que se trata de una controladora es una Phison S10 o Phsion S11 de un sólo núcleo. Lo que si está confirmado que usara memoria NAND 3D firmada por Micron en sus formatos de 2,5 pulgadas.
Para el modelo de 120 GB tendremos 510 MB/s de lectura secuencial, mientras que para la escritura secuencial 410 MB/s. La lectura aleatoria 4K será de 42.000 IOPS y 82000 IOPS en la escritura.
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El modelo de 256 GB tendrá una lectura y escritura secuencial de 560MB/s y 510 MB/s. Mientras que 80.000 IOPS y 81.000 IOPS en operaciones de escritura aleatoria en 4k.
Los precios todavía no se han confirmado pero seguramente los encontremos entre una de las unidades más baratas de almacenamiento de estado sólido del mercado.
Fuente: techpowerup
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