La compañía Yangtze River Storage Technology (YRST) será la primera en fabricar las nuevas memorias 3D NAND en China. La fabricación de las primeras obleas de memoria 3D NAND van a comenzar durante el año 2017 y esperan producir este tipo de memorias de 32 niveles.
Las 3D NAND son capaces de contener dentro varias capas de memoria en un mismo silicio, por lo que se pueden conseguir unidades SSD de mayor capacidad en el mismo espacio. Compañías como Intel-Micron o A-DATA ya tienen en el mercado este tipo de memorias. Esta sería la primera vez que un fabricante Chino comience a producir memorias NAND Flash y DRAM.
La inversión total de la compañía YRST asciende a los 24.000 millones de dolares para completar la fabrica y ya hay previsto ampliar las instalaciones en 2018 y una última fase de ampliación en 2019. Esto se logró no solo por la propia YRST, sino también por una inversión del propio Gobierno Chino y una alianza con la empresa líder en semiconductores XMC. Las fuentes también indican que hay respaldo de Tsinghua Unigroup con la colaboración de Micron, por lo que se no son pocos los que están metidos en este negocio.
Se espera que YRST pueda fabricar al mes unas 300.000 obleas, que servirán para satisfacer la creciente demanda de memorias NAND que se utilizan en las unidades SSD y Smartphones. La noticia es importante ya que ayudaría a abaratar los costos de este tipo de unidades al mediano plazo. Un paso más para comenzar a jubilar los discos duros que llevan décadas entre nosotros.
Comparamos los chipsets de moda, los X870E vs X870 vs B850 vs B840. Todos son…
En esta ocasión probamos uno de los switches más potentes que han pasado por nuestras…
AMD ha puesto en manos de Krackan el diseño de sus próximos chips para portátil.…