El gigante surcoreano Samsung ha anunciado que ha empezado la fabricación de unidades SSD con interfaz PCI-E con una capacidad de almacenamiento de 3,2 TB.
Para ello Samsung utiliza la memoria 3D V-NAND, de la cual es propietaria, en un factor de forma HHHL(half-height, half-lenght), y que le permite doblar la capacidad que la empresa podía ofrecer hasta ahora.
El nuevo Samsung SSDs NVMe PCIe de 3.2 TB proporciona una tasa de lectura secuencial de hasta 3.000 MB/s y una velocidad de escritura secuencial de hasta 2.200 MB/s. Al mismo tiempo ofrece una tasa de lectura aleatoria superior a 750.000 IOPS y de escritura aleatoria de 130.000 IOPS.
Se trata de un dispositivo diseñado para tener una gran fiabilidad y está certificado para soportar hasta 32 TB de escritura diarios durante 5 años.
Fuente: businesswire
